창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7716ADN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7716ADN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 846pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 27.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7716ADN-T1-GE3TR SI7716ADNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7716ADN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7716ADN, SI7716ADN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
TAJB336M016Y | 33µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1210 (3528 Metric) 2.1 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TAJB336M016Y.pdf | ||
052AI | 052AI TI SOP8 | 052AI.pdf | ||
SMA6821MP | SMA6821MP SANKEN SMA24pin | SMA6821MP.pdf | ||
MAX511/32D99. | MAX511/32D99. MAIXM SMD or Through Hole | MAX511/32D99..pdf | ||
KP10A1200V | KP10A1200V ORIGINAL SMD or Through Hole | KP10A1200V.pdf | ||
4274G | 4274G INFINEON TO263 | 4274G.pdf | ||
UPD76F0027GF(A1) | UPD76F0027GF(A1) NEC QFP | UPD76F0027GF(A1).pdf | ||
MCR25JZHF3301 | MCR25JZHF3301 ROHM SMD | MCR25JZHF3301.pdf | ||
STRD14413 | STRD14413 SK ZIP | STRD14413.pdf | ||
UC383TD-1 | UC383TD-1 UC TO220 | UC383TD-1.pdf | ||
1N3983 | 1N3983 ORIGINAL DIP | 1N3983.pdf | ||
G2-0004 | G2-0004 ORIGINAL DIP8 | G2-0004.pdf |