창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7635DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI7635DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 26A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 143nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4595pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 54W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7635DP-T1-GE3TR SI7635DPT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7635DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7635DP-, SI7635DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-3951C-036-TR | 3.6864MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 10mA Enable/Disable | ECS-3951C-036-TR.pdf | |
![]() | DS1682S+TR | DS1682S+TR MAXIM SOP8 | DS1682S+TR.pdf | |
![]() | CONNER29294 | CONNER29294 ML SOP | CONNER29294.pdf | |
![]() | 29LV800 | 29LV800 ST SMD or Through Hole | 29LV800.pdf | |
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![]() | FU8A460A | FU8A460A TDI QFP | FU8A460A.pdf | |
![]() | AM27C512-2WDI | AM27C512-2WDI AMD SMD or Through Hole | AM27C512-2WDI.pdf | |
![]() | JQX-115F-012-1ZS1(551) | JQX-115F-012-1ZS1(551) HF SMD or Through Hole | JQX-115F-012-1ZS1(551).pdf | |
![]() | 1-1620-263212C163H/24EV | 1-1620-263212C163H/24EV Schaltbau SMD or Through Hole | 1-1620-263212C163H/24EV.pdf | |
![]() | PFC-W0805R-12-1002-B IRC 1100 | PFC-W0805R-12-1002-B IRC 1100 IRC SMD or Through Hole | PFC-W0805R-12-1002-B IRC 1100.pdf |