창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7633DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7633DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9500pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7633DP-T1-GE3-ND SI7633DP-T1-GE3TR SI7633DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7633DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7633DP-, SI7633DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | RT0603WRE0771K5L | RES SMD 71.5K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRE0771K5L.pdf | |
![]() | BD175-16 | BD175-16 FAIRCHILD TO-126 | BD175-16.pdf | |
![]() | LM4665MM | LM4665MM NSC MSSOP-8 | LM4665MM.pdf | |
![]() | P1166.684T | P1166.684T PULSE SMD or Through Hole | P1166.684T.pdf | |
![]() | C2012C-8N2G | C2012C-8N2G SAGAMI 08052K | C2012C-8N2G.pdf | |
![]() | BSP650P | BSP650P INFINEON TO263 | BSP650P.pdf | |
![]() | 1D600A-030A | 1D600A-030A FUJI SMD or Through Hole | 1D600A-030A.pdf | |
![]() | 0805 823 M 50V | 0805 823 M 50V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805 823 M 50V.pdf | |
![]() | DW025AC1-M | DW025AC1-M LUCENT SMD or Through Hole | DW025AC1-M.pdf | |
![]() | MST2033 | MST2033 MSTAR SMD or Through Hole | MST2033.pdf | |
![]() | NS74HC244DWR | NS74HC244DWR TI SOP7.2 | NS74HC244DWR.pdf | |
![]() | TMP4320-6205 | TMP4320-6205 TOS IC | TMP4320-6205.pdf |