창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7611DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7611DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 9.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1980pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7611DN-T1-GE3TR SI7611DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7611DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7611DN-, SI7611DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
BFC237862394 | 0.39µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | BFC237862394.pdf | ||
TNPW04023K83BEED | RES SMD 3.83KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW04023K83BEED.pdf | ||
Y14880R00200D4R | RES SMD 0.002 OHM 0.5% 3W 3637 | Y14880R00200D4R.pdf | ||
3269PWX-ES2 (LF) | 3269PWX-ES2 (LF) BOURNS SMD or Through Hole | 3269PWX-ES2 (LF).pdf | ||
KTC9013F | KTC9013F KEC TO-92 | KTC9013F.pdf | ||
S81340HG | S81340HG SEIKO SMD or Through Hole | S81340HG.pdf | ||
CP403 | CP403 ORIGINAL CAN | CP403.pdf | ||
TC1186-3.6VCT | TC1186-3.6VCT MICROCHIP SOT23-5 | TC1186-3.6VCT.pdf | ||
E558ANA-100188 P3 | E558ANA-100188 P3 TOKO SMD or Through Hole | E558ANA-100188 P3.pdf | ||
BMBP08-D30G-3.9 | BMBP08-D30G-3.9 ORIGINAL Socket | BMBP08-D30G-3.9.pdf | ||
X819195-003 | X819195-003 MICROSOF BGA | X819195-003.pdf | ||
MAC137G700 | MAC137G700 NULL NULL | MAC137G700.pdf |