창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7450DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7450DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7450DP-T1-E3TR SI7450DPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7450DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7450DP, SI7450DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
LP221F23CET | 22.1184MHz ±20ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP221F23CET.pdf | ||
416F48035IKR | 48MHz ±30ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48035IKR.pdf | ||
RN73C2A3K83BTG | RES SMD 3.83KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A3K83BTG.pdf | ||
RCP2512W56R0JET | RES SMD 56 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W56R0JET.pdf | ||
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2N6365A | 2N6365A MOT CAN3 | 2N6365A.pdf | ||
SSM 8947BC | SSM 8947BC ORIGINAL SMD or Through Hole | SSM 8947BC.pdf | ||
AI-5104/883 | AI-5104/883 HARRAS CDIP | AI-5104/883.pdf |