창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7430DP-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si7430DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1735pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 64W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7430DP-T1-E3TR SI7430DPT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7430DP-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI7430DP, SI7430DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW060319K6BEEA | RES SMD 19.6KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060319K6BEEA.pdf | |
![]() | 4814P-1-100 | RES ARRAY 7 RES 10 OHM 14SOIC | 4814P-1-100.pdf | |
![]() | NOJB476M006R | NOJB476M006R AVX SMD or Through Hole | NOJB476M006R.pdf | |
![]() | JWS120P-24/508 | JWS120P-24/508 TDK-Lambda SMD or Through Hole | JWS120P-24/508.pdf | |
![]() | SP40E | SP40E MONEFTX BGA | SP40E.pdf | |
![]() | M95020WP | M95020WP ST SOP8 | M95020WP.pdf | |
![]() | TDFB-G251D | TDFB-G251D LG SMD or Through Hole | TDFB-G251D.pdf | |
![]() | BC857C E6327 | BC857C E6327 INF SMD or Through Hole | BC857C E6327.pdf | |
![]() | M32121MCB-150WG | M32121MCB-150WG SAMSUNG BGA | M32121MCB-150WG.pdf | |
![]() | MA3243C/MAX3243C | MA3243C/MAX3243C TI TSSOP | MA3243C/MAX3243C.pdf | |
![]() | MV2115 | MV2115 MOT SMD or Through Hole | MV2115.pdf | |
![]() | NJM2821F/3C | NJM2821F/3C NJM SOT153 | NJM2821F/3C.pdf |