창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7384DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7384DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7384DP-T1-E3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7384DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7384DP, SI7384DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SMCJ6063E3/TR13 | TVS DIODE 81VWM 144VC SMCJ | SMCJ6063E3/TR13.pdf | |
![]() | RG3216V-6981-W-T1 | RES SMD 6.98KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216V-6981-W-T1.pdf | |
![]() | HC163DR | HC163DR TI SO-16 | HC163DR.pdf | |
![]() | TK11350CMCL-GH | TK11350CMCL-GH TOKO SOT89-6 | TK11350CMCL-GH.pdf | |
![]() | 36512C8N2JTDG | 36512C8N2JTDG TYCO SMD or Through Hole | 36512C8N2JTDG.pdf | |
![]() | M27C256B-15F1* | M27C256B-15F1* ST DIP-28 | M27C256B-15F1*.pdf | |
![]() | SC38P008PG02 | SC38P008PG02 MOTO PLCC-68 | SC38P008PG02.pdf | |
![]() | E6420ATF | E6420ATF SEMTECH QFP-100 | E6420ATF.pdf | |
![]() | ET6090 | ET6090 ORIGINAL SMD or Through Hole | ET6090.pdf | |
![]() | LQ104V1DG11(CABLE) | LQ104V1DG11(CABLE) HIROSE SMD or Through Hole | LQ104V1DG11(CABLE).pdf | |
![]() | PD10N | PD10N THE SMD or Through Hole | PD10N.pdf | |
![]() | EV1527(so8+3.9mm) | EV1527(so8+3.9mm) eV SO-8 | EV1527(so8+3.9mm).pdf |