창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7370DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7370DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 57nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7370DP-T1-E3TR SI7370DPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7370DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7370DP, SI7370DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | LP050F33CDT | 5MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP050F33CDT.pdf | |
![]() | ERJ-3GEYJ124V | RES SMD 120K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-3GEYJ124V.pdf | |
![]() | CMF652K0000BEEK | RES 2K OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF652K0000BEEK.pdf | |
![]() | AT17V256 | AT17V256 ALTERA DIP8 | AT17V256.pdf | |
![]() | PR02000206209FA100 | PR02000206209FA100 Murata SMD | PR02000206209FA100.pdf | |
![]() | LP38690DTX-3.3 | LP38690DTX-3.3 NS TO-252 | LP38690DTX-3.3.pdf | |
![]() | XRSP3603-00 | XRSP3603-00 EXAR CDIP8 | XRSP3603-00.pdf | |
![]() | RC9623DPL | RC9623DPL ROCKWELL QFP | RC9623DPL.pdf | |
![]() | HM71-101R5LF | HM71-101R5LF TTwbitechnologiescom/pdfs/hmpdf DO1608C-152 | HM71-101R5LF.pdf | |
![]() | D42S65405G5-8 | D42S65405G5-8 ORIGINAL SMD or Through Hole | D42S65405G5-8.pdf | |
![]() | S11B-PH-K-S(LF)(SN) | S11B-PH-K-S(LF)(SN) JST DIP | S11B-PH-K-S(LF)(SN).pdf | |
![]() | M915AY-470M=P3 | M915AY-470M=P3 TOKO SMD | M915AY-470M=P3.pdf |