창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7370ADP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7370ADP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2850pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 69.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7370ADP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7370ADP, SI7370ADP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | ECS-40.3-20-4X | 4.032MHz ±30ppm 수정 20pF 150옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-40.3-20-4X.pdf | |
![]() | TNPW201053R6BEEY | RES SMD 53.6 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201053R6BEEY.pdf | |
![]() | PR01000109102JR500 | RES 91K OHM 1W 5% AXIAL | PR01000109102JR500.pdf | |
![]() | FMG2G200US60E | FMG2G200US60E FAIRCHILD SMD or Through Hole | FMG2G200US60E.pdf | |
![]() | 145015064102861 | 145015064102861 ORIGINAL NA | 145015064102861.pdf | |
![]() | LB2012-1R2M | LB2012-1R2M Taiyojohansontechnologycom/crossreferenc 21- - -007pbfree-lQW-Rohs | LB2012-1R2M.pdf | |
![]() | S07GH | S07GH psisemi SOD-123FH | S07GH.pdf | |
![]() | EDS1216AGTA-5B-E | EDS1216AGTA-5B-E EIPIDA SMD or Through Hole | EDS1216AGTA-5B-E.pdf | |
![]() | LA9542M-MPBN | LA9542M-MPBN ORIGINAL SMD or Through Hole | LA9542M-MPBN.pdf |