창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7309DN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7309DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 115m옴 @ 3.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 19.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7309DN-T1-E3TR SI7309DNT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7309DN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7309DN, SI7309DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | RG3216V-3740-W-T1 | RES SMD 374 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216V-3740-W-T1.pdf | |
![]() | RSF2JB820R | RES MO 2W 820 OHM 5% AXIAL | RSF2JB820R.pdf | |
![]() | 2N2060AB | 2N2060AB ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N2060AB.pdf | |
![]() | 1SS380ZD | 1SS380ZD ROHM SOD-323 | 1SS380ZD.pdf | |
![]() | T7CV1D24 | T7CV1D24 P&B SMD or Through Hole | T7CV1D24.pdf | |
![]() | MDP1603-271G | MDP1603-271G DALE DIP | MDP1603-271G.pdf | |
![]() | 1988-06-01 | 32295 FUJITSU SMD or Through Hole | 1988-06-01.pdf | |
![]() | AS5506M5-3.3/TR-LF | AS5506M5-3.3/TR-LF ASemi SOT23-5 | AS5506M5-3.3/TR-LF.pdf |