창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7308DN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7308DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 58m옴 @ 5.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 665pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 19.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7308DN-T1-E3TR SI7308DNT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7308DN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7308DN, SI7308DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | TM3B226M6R3CBA | 22µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 1411 (3528 Metric) 2 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TM3B226M6R3CBA.pdf | |
![]() | AC05000002000JAC00 | RES 200 OHM 5W 5% AXIAL | AC05000002000JAC00.pdf | |
![]() | B261B | B261B N/A CDIP | B261B.pdf | |
![]() | M1216 | M1216 ORIGINAL CAN6 | M1216.pdf | |
![]() | V30324 | V30324 VISHAY SOT | V30324.pdf | |
![]() | MN101C10AHM | MN101C10AHM panasonic TQFP | MN101C10AHM.pdf | |
![]() | SRA2 2R0 SMD-2 | SRA2 2R0 SMD-2 A/N SMD or Through Hole | SRA2 2R0 SMD-2.pdf | |
![]() | C80M | C80M ORIGINAL TO-220 | C80M.pdf | |
![]() | M50957E-680SP | M50957E-680SP HIT DIP64 | M50957E-680SP.pdf | |
![]() | MTS-11 | MTS-11 RIC SMD or Through Hole | MTS-11.pdf | |
![]() | KS56C220LP-87DCC | KS56C220LP-87DCC SAMSUNG 1210 | KS56C220LP-87DCC.pdf |