창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7236DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7236DP | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 20.7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 46W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7236DP-T1-GE3TR SI7236DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7236DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7236DP-, SI7236DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 55081803400 | 18nH Unshielded Wirewound Inductor 670mA 70 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | 55081803400.pdf | |
![]() | CRGH0805F5K11 | RES SMD 5.11K OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F5K11.pdf | |
![]() | HVS2512-33MJ8 | RES SMD 33M OHM 5% 1W 2512 | HVS2512-33MJ8.pdf | |
![]() | AC164138-2 | DAUGHTER BOARD MRF89XAM9A PIC | AC164138-2.pdf | |
![]() | NTLJD2105LTBG | NTLJD2105LTBG ON WDFN-6 | NTLJD2105LTBG.pdf | |
![]() | HAT2037T-EL | HAT2037T-EL RENESAS TSSOP | HAT2037T-EL.pdf | |
![]() | RM10JTN205 | RM10JTN205 TA-I SMD or Through Hole | RM10JTN205.pdf | |
![]() | MB88201PF-805L | MB88201PF-805L FUJ SMD | MB88201PF-805L.pdf | |
![]() | JC1H474M04006 | JC1H474M04006 SAMWHA SMD or Through Hole | JC1H474M04006.pdf | |
![]() | TR3V107K010D0200 | TR3V107K010D0200 VISHAY SMD | TR3V107K010D0200.pdf | |
![]() | EP1S30F1020C8 | EP1S30F1020C8 ALTERA BGA | EP1S30F1020C8.pdf | |
![]() | LT03-140 | LT03-140 HIPER SMD or Through Hole | LT03-140.pdf |