Vishay BC Components SI7230DN-T1-GE3

SI7230DN-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SI7230DN-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
데이터 시트 다운로드
다운로드
SI7230DN-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 726.48567
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SI7230DN-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI7230DN-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI7230DN-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SI7230DN-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI7230DN-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI7230DN-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SI7230DN
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs12m옴 @ 14A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerPAK® 1212-8
공급 장치 패키지PowerPAK® 1212-8
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SI7230DN-T1-GE3
관련 링크SI7230DN-, SI7230DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SI7230DN-T1-GE3 의 관련 제품
RES SMD 300 OHM 1% 3/4W 2010 AA2010FK-07300RL.pdf
AEL9710CSN-40.320MHZ AELCRYSTAL SMD or Through Hole AEL9710CSN-40.320MHZ.pdf
MPSA06,126 NXP SOT54 MPSA06,126.pdf
LYW5SM-HZJX-56-0-400-R18-Z OSRAM SMD or Through Hole LYW5SM-HZJX-56-0-400-R18-Z.pdf
RSZ5230BT116 ROHM SMD or Through Hole RSZ5230BT116.pdf
PCA84C122AT/155 PHILIPS 7.2mm PCA84C122AT/155.pdf
BCM56502 BCM BGA BCM56502.pdf
PSD402A2-C-15U WSI TQFP-80P PSD402A2-C-15U.pdf
T22-1156/1157 ORIGINAL SMD or Through Hole T22-1156/1157.pdf
28F320B3TC INTEL BGA 28F320B3TC.pdf
25D560KJ RUILON DIP 25D560KJ.pdf