창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7216DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7216DN | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 20.8W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7216DN-T1-GE3TR SI7216DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7216DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7216DN-, SI7216DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
CBR05C129BAGAC | 1.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0505(1313 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | CBR05C129BAGAC.pdf | ||
GCM1885C2A1R5CZ13D | 1.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C2A1R5CZ13D.pdf | ||
PRETHE156 | 156.25MHz PECL VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 70mA Enable/Disable | PRETHE156.pdf | ||
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IMC1812BN5R6J | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1.1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BN5R6J.pdf | ||
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