창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7216DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7216DN | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 20.8W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7216DN-T1-GE3TR SI7216DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7216DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7216DN-, SI7216DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | B41043A7227M | 220µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | B41043A7227M.pdf | |
![]() | ACZRC5360B-G | DIODE ZENER 25V 5W DO214AB | ACZRC5360B-G.pdf | |
![]() | 3584JQ | 3584JQ BB CAN-8 | 3584JQ.pdf | |
![]() | 47-00004-42 #T | 47-00004-42 #T SKYWORTH DIP-42 | 47-00004-42 #T.pdf | |
![]() | CB1167E | CB1167E TI TSSOP16 | CB1167E.pdf | |
![]() | SC619 | SC619 SC QFN10 | SC619.pdf | |
![]() | M37517F8-051HP | M37517F8-051HP RENESAS QFP | M37517F8-051HP.pdf | |
![]() | BAR65-03W TEL:82766440 | BAR65-03W TEL:82766440 INF SMD or Through Hole | BAR65-03W TEL:82766440.pdf | |
![]() | 1MBI200NA-060 | 1MBI200NA-060 FUJI SMD or Through Hole | 1MBI200NA-060.pdf | |
![]() | RFD12N06L | RFD12N06L intersil TO-251 | RFD12N06L.pdf | |
![]() | 2SD898 #T | 2SD898 #T ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SD898 #T.pdf | |
![]() | AH1751-WL-7 | AH1751-WL-7 DIODES SC-59 | AH1751-WL-7.pdf |