창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7216DN-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si7216DN | |
| 카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 20.8W | |
| 작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7216DN-T1-E3TR SI7216DNT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7216DN-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI7216DN, SI7216DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| .jpg) | CX3225SB25000D0FLJCC | 25MHz ±10ppm 수정 8pF 50옴 -30°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225SB25000D0FLJCC.pdf | |
|  | RJR26FW503M | RJR26FW503M BOURNSINC SMD or Through Hole | RJR26FW503M.pdf | |
|  | C2012COG1H562JT | C2012COG1H562JT TDK SMD | C2012COG1H562JT.pdf | |
|  | UPD65103GDE35 | UPD65103GDE35 NEC QFP | UPD65103GDE35.pdf | |
|  | INA1241U | INA1241U BB SMD | INA1241U.pdf | |
|  | SFMC-109-T2-F-D | SFMC-109-T2-F-D SAMTEC SMD or Through Hole | SFMC-109-T2-F-D.pdf | |
|  | mrs25000c6208fc | mrs25000c6208fc vishay SMD or Through Hole | mrs25000c6208fc.pdf | |
|  | L5042953B | L5042953B INTEL PCCC-44P | L5042953B.pdf | |
|  | MMS8050-H | MMS8050-H Micro SOT-23 | MMS8050-H.pdf | |
|  | FKC12-24D05 | FKC12-24D05 P-DUCK SMD or Through Hole | FKC12-24D05.pdf | |
|  | STM32F103ZDH6 | STM32F103ZDH6 ST LQFP144BGA144 | STM32F103ZDH6.pdf | |
|  | SG-636PCP | SG-636PCP EPSON SMD or Through Hole | SG-636PCP.pdf |