창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7196DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7196DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | WFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1577pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 41.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7196DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7196DP, SI7196DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-PA3D6041V | RES SMD 6.04K OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D6041V.pdf | |
![]() | IXFV26N50Q | IXFV26N50Q IXYS TO220 | IXFV26N50Q.pdf | |
![]() | PM09AL | PM09AL NS SOP | PM09AL.pdf | |
![]() | 699-3-R100KD | 699-3-R100KD BI DIP-14 | 699-3-R100KD.pdf | |
![]() | VE27 | VE27 VARO DIP4 | VE27.pdf | |
![]() | LP2981IM5X-3.3(L04B) | LP2981IM5X-3.3(L04B) NS SOT153 | LP2981IM5X-3.3(L04B).pdf | |
![]() | BL8530-602RN SOT-23-5 | BL8530-602RN SOT-23-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | BL8530-602RN SOT-23-5.pdf | |
![]() | 50V 470UF | 50V 470UF RUKYCOM SMD or Through Hole | 50V 470UF.pdf | |
![]() | SWT805-S | SWT805-S SEOUL SMD or Through Hole | SWT805-S.pdf | |
![]() | NEC43257 | NEC43257 NEC SOP | NEC43257.pdf |