창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7194DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7194DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 145nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6590pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7194DP-T1-GE3TR SI7194DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7194DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7194DP-, SI7194DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | CG1808N5R0J302T | CG1808N5R0J302T HEC SMD or Through Hole | CG1808N5R0J302T.pdf | |
![]() | RCR05G515JS | RCR05G515JS ORIGINAL SMD or Through Hole | RCR05G515JS.pdf | |
![]() | DS1099U-FF | DS1099U-FF MAXIM USOP | DS1099U-FF.pdf | |
![]() | TC1273 | TC1273 MICROCHIP DIPSOP | TC1273.pdf | |
![]() | SK035M4R70A2F-0511 | SK035M4R70A2F-0511 YAGEO DIP | SK035M4R70A2F-0511.pdf | |
![]() | RC0603JR072M4 | RC0603JR072M4 YAGEO SMD or Through Hole | RC0603JR072M4.pdf | |
![]() | JSMF3-02K120-30-10P | JSMF3-02K120-30-10P MITEQ SMD or Through Hole | JSMF3-02K120-30-10P.pdf |