창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7149ADP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7149ADP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 11/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 135nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5125pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7149ADP-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7149ADP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7149ADP, SI7149ADP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 445W32S24M00000 | 24MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32S24M00000.pdf | |
![]() | RT1210FRD07180RL | RES SMD 180 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD07180RL.pdf | |
![]() | CMF505K1100BHEA | RES 5.11K OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF505K1100BHEA.pdf | |
![]() | BCT4321BETB-TR | BCT4321BETB-TR Broadchip QFN1.4x1.8-10 | BCT4321BETB-TR.pdf | |
![]() | G6Z-1PE-12DC | G6Z-1PE-12DC OMRONGMBH SMD or Through Hole | G6Z-1PE-12DC.pdf | |
![]() | 100360DC | 100360DC NS DIP | 100360DC.pdf | |
![]() | XRCAMB-L1-A3-N3-C | XRCAMB-L1-A3-N3-C CREELTD SMD or Through Hole | XRCAMB-L1-A3-N3-C.pdf | |
![]() | CXD9657N | CXD9657N SONY SOP | CXD9657N.pdf | |
![]() | DFC31G96HDJAA | DFC31G96HDJAA MURATA SMD | DFC31G96HDJAA.pdf | |
![]() | mtv021-49 | mtv021-49 MYSON DIP | mtv021-49.pdf | |
![]() | 54HCT240/B2AJC | 54HCT240/B2AJC ORIGINAL SMD or Through Hole | 54HCT240/B2AJC.pdf | |
![]() | DTA143ZU T106 | DTA143ZU T106 ROHM SOT-323 | DTA143ZU T106.pdf |