창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7136DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7136DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3380pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7136DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7136DP-, SI7136DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
E82D500VNN103MR50N | CAP ALUM 10000UF 50V RADIAL | E82D500VNN103MR50N.pdf | ||
KZE100VB27RM8X11LL | 27µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | KZE100VB27RM8X11LL.pdf | ||
H4357KBDA | RES 357K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4357KBDA.pdf | ||
IRFU234A | IRFU234A Samsung I-PAK | IRFU234A.pdf | ||
LAQ | LAQ N/A SOT23-3 | LAQ.pdf | ||
BYT54MTAP | BYT54MTAP TEMIC SMD or Through Hole | BYT54MTAP.pdf | ||
S-80823CNY | S-80823CNY ORIGINAL TO-92 | S-80823CNY.pdf | ||
MD8253-5/B | MD8253-5/B ORIGINAL SMD or Through Hole | MD8253-5/B.pdf | ||
SS39-N NSMC | SS39-N NSMC ORIGINAL SMD or Through Hole | SS39-N NSMC.pdf | ||
551-1101 | 551-1101 DIALIGHT SMD or Through Hole | 551-1101.pdf | ||
52207-2885 | 52207-2885 molex SMD or Through Hole | 52207-2885.pdf | ||
LQH3N1R0M04M00 | LQH3N1R0M04M00 MURATA SMD or Through Hole | LQH3N1R0M04M00.pdf |