창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7121DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI7121ADN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1960pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7121DN-T1-GE3TR SI7121DNT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7121DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7121DN-, SI7121DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | VSSR1601103GUF | RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SSOP | VSSR1601103GUF.pdf | |
![]() | B39421B3562U310 | B39421B3562U310 epcos INSTOCKPACK3000 | B39421B3562U310.pdf | |
![]() | 88E1112-XX-NNC1I000 | 88E1112-XX-NNC1I000 ORIGINAL PHY2.5VQFN(QuadF | 88E1112-XX-NNC1I000.pdf | |
![]() | FE30F | FE30F GIE TO-3P | FE30F.pdf | |
![]() | APL1117-18UC-TR | APL1117-18UC-TR ORIGINAL TO-252 | APL1117-18UC-TR.pdf | |
![]() | F2526* | F2526* ORIGINAL SMD or Through Hole | F2526*.pdf | |
![]() | NSK70725PE | NSK70725PE INTEL SMD or Through Hole | NSK70725PE.pdf |