창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7120ADN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7120ADN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7120ADN-T1-GE3TR SI7120ADNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7120ADN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7120ADN, SI7120ADN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-3GEYJ120V | RES SMD 12 OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-3GEYJ120V.pdf | |
![]() | Y07864K70000B0L | RES 4.7K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y07864K70000B0L.pdf | |
![]() | PAL20R6D | PAL20R6D NSC DIP | PAL20R6D.pdf | |
![]() | NL201614T-R15J-N | NL201614T-R15J-N YAGEO SMD | NL201614T-R15J-N.pdf | |
![]() | AVC304 | AVC304 ORIGINAL SMD or Through Hole | AVC304.pdf | |
![]() | 3110KL04WB30P00 | 3110KL04WB30P00 BUSSMANN SMD or Through Hole | 3110KL04WB30P00.pdf | |
![]() | TSX-3225 28.000MHZ | TSX-3225 28.000MHZ KSS SMD-DIP | TSX-3225 28.000MHZ.pdf | |
![]() | WE36A | WE36A WE DIP | WE36A.pdf | |
![]() | 19-223/Y2BHC-C01/2T(WSN) | 19-223/Y2BHC-C01/2T(WSN) EVERLIGH N A | 19-223/Y2BHC-C01/2T(WSN).pdf | |
![]() | BD979 | BD979 ORIGINAL SMD or Through Hole | BD979.pdf | |
![]() | MLH0603-12N-5 | MLH0603-12N-5 FER SMD | MLH0603-12N-5.pdf | |
![]() | QR/P4-8P-C 01 | QR/P4-8P-C 01 HRS SMD or Through Hole | QR/P4-8P-C 01.pdf |