창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7115DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7115DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 295m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7115DN-T1-GE3TR SI7115DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7115DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7115DN-, SI7115DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
450PX2.2MEFCT78X11.5 | 2.2µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | 450PX2.2MEFCT78X11.5.pdf | ||
RT1210FRD07133KL | RES SMD 133K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD07133KL.pdf | ||
PJ9216N18MR SOT-25 | PJ9216N18MR SOT-25 ORIGINAL SOT-25 | PJ9216N18MR SOT-25.pdf | ||
MCR265-9 | MCR265-9 ON SMD or Through Hole | MCR265-9.pdf | ||
2512 0.1R-0.91R +-1% | 2512 0.1R-0.91R +-1% ORIGINAL SMD or Through Hole | 2512 0.1R-0.91R +-1%.pdf | ||
LM2525M-H | LM2525M-H NS SOIC-8 | LM2525M-H.pdf | ||
SK200M0047B5S-1320 | SK200M0047B5S-1320 YAGEO DIP | SK200M0047B5S-1320.pdf | ||
220100405629 | 220100405629 YAGEO SMD | 220100405629.pdf | ||
SE8B | SE8B ORIGINAL TSOT23-6 | SE8B.pdf | ||
LT1124AIS8#PBF | LT1124AIS8#PBF LTC SOP8 | LT1124AIS8#PBF.pdf | ||
SFH486 RN18A | SFH486 RN18A OSRAM SMD or Through Hole | SFH486 RN18A.pdf |