창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7110DN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7110DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1655 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.3m옴 @ 21.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7110DN-T1-E3TR SI7110DNT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7110DN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7110DN, SI7110DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-6ENF1023V | RES SMD 102K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF1023V.pdf | |
![]() | RT1206WRD07481RL | RES SMD 481 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD07481RL.pdf | |
![]() | ABNTC-0805-104J-4250F-T | NTC Thermistor 100k 0805 (2012 Metric) | ABNTC-0805-104J-4250F-T.pdf | |
![]() | OKS57L0002-DPE | OKS57L0002-DPE NULL DIP | OKS57L0002-DPE.pdf | |
![]() | OB2269-LF | OB2269-LF ONBRIGHT IC | OB2269-LF.pdf | |
![]() | MB87L1572-PFV-ES | MB87L1572-PFV-ES FUJI QFP | MB87L1572-PFV-ES.pdf | |
![]() | EM-0711 | EM-0711 AKE SMD or Through Hole | EM-0711.pdf | |
![]() | 08L2483 | 08L2483 ORIGINAL SMD or Through Hole | 08L2483.pdf | |
![]() | Z130 | Z130 FD DO-41 | Z130.pdf | |
![]() | C062T184K5X5CR | C062T184K5X5CR KEMET SMD or Through Hole | C062T184K5X5CR.pdf | |
![]() | 1N1346A | 1N1346A NS SMD or Through Hole | 1N1346A.pdf | |
![]() | U1ZB150 TE12R | U1ZB150 TE12R TOSHIBA 1808 | U1ZB150 TE12R.pdf |