창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7107DN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7107DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.8m옴 @ 15.3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 450µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SI7107DN-T1-E3CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7107DN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7107DN, SI7107DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | MM9532-UDC | MM9532-UDC CREDENCE BGA | MM9532-UDC.pdf | |
![]() | 456102-80MFI | 456102-80MFI TTE SMD or Through Hole | 456102-80MFI.pdf | |
![]() | CY2071SC-10 | CY2071SC-10 ORIGINAL SMD or Through Hole | CY2071SC-10.pdf | |
![]() | TFC11G-G | TFC11G-G ORIGINAL SMD or Through Hole | TFC11G-G.pdf | |
![]() | 80C166 | 80C166 S PLCC | 80C166.pdf |