창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7102DN-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7102DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 15A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3720pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7102DN-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7102DN, SI7102DN-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008ACB1-33E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008ACB1-33E.pdf | |
![]() | NLC565050T-121K-PF | 120µH Unshielded Wirewound Inductor 230mA 1.9 Ohm Max 2220 (5650 Metric) | NLC565050T-121K-PF.pdf | |
![]() | XV750CQ1-01 | XV750CQ1-01 IIXINE QFP | XV750CQ1-01.pdf | |
![]() | 6N136.W | 6N136.W ISOCOM DIPSOP | 6N136.W.pdf | |
![]() | TL3844BDR-8 * | TL3844BDR-8 * TIS Call | TL3844BDR-8 *.pdf | |
![]() | IRF132 | IRF132 IR TO-3 | IRF132.pdf | |
![]() | 85777 | 85777 MURR SMD or Through Hole | 85777.pdf | |
![]() | PEB2256 H | PEB2256 H N/A QFP | PEB2256 H.pdf | |
![]() | CLVCC3245AIPWRG4RG4EP | CLVCC3245AIPWRG4RG4EP TI CLVCC3245AIPWRG4EP | CLVCC3245AIPWRG4RG4EP.pdf | |
![]() | ISL59885SZ | ISL59885SZ INTERSIL SMD or Through Hole | ISL59885SZ.pdf |