창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI6954ADQ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si6954ADQ | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 53m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 830mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-TSSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI6954ADQ-T1-GE3TR SI6954ADQT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI6954ADQ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI6954ADQ, SI6954ADQ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
CK45-R3AD102KANRA | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 R 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | CK45-R3AD102KANRA.pdf | ||
E3X-DAG6 | WIRE SAVING DIGTL NPN GRN LED | E3X-DAG6.pdf | ||
TAR5S18/1V8 | TAR5S18/1V8 TOSHIBA SOT153 | TAR5S18/1V8.pdf | ||
ON15846N | ON15846N TI DIP-14 | ON15846N.pdf | ||
EMA2011 | EMA2011 EMP MSOP8 | EMA2011.pdf | ||
SKYLARK,ENCORDER | SKYLARK,ENCORDER SKYLARK QFP-128 | SKYLARK,ENCORDER.pdf | ||
JW050A61 | JW050A61 LUCENT SMD or Through Hole | JW050A61.pdf | ||
HUF75307D3 | HUF75307D3 ORIGINAL SMD or Through Hole | HUF75307D3 .pdf | ||
BAT68-07T | BAT68-07T INF SOT143 | BAT68-07T.pdf | ||
TA-010TCM4R7M-B1R | TA-010TCM4R7M-B1R TOWA SMD or Through Hole | TA-010TCM4R7M-B1R.pdf | ||
MPT-1200V334K | MPT-1200V334K JS 32 27 | MPT-1200V334K.pdf | ||
SP-SKLT | SP-SKLT KODENSHI SMD or Through Hole | SP-SKLT.pdf |