창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI6415DQ-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si6415DQ | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI6415DQ-T1-E3TR SI6415DQT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI6415DQ-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI6415DQ, SI6415DQ-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| 103MSR102K | 10000pF Film Capacitor 250V 1000V (1kV) Polyester, Metallized Radial 0.551" L x 0.276" W (14.00mm x 7.00mm) | 103MSR102K.pdf | ||
![]() | ECQ-E12222JF | 2200pF Film Capacitor 125V 1250V (1.25kV) Polyester, Metallized Radial 0.610" L x 0.236" W (15.50mm x 6.00mm) | ECQ-E12222JF.pdf | |
![]() | K2500EH70 | SIDAC 240-280V 1A TO92 | K2500EH70.pdf | |
![]() | CMF6082R500FHBF | RES 82.5 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6082R500FHBF.pdf | |
![]() | HSDL-3603 | HSDL-3603 Agilent SMD or Through Hole | HSDL-3603.pdf | |
![]() | THS4120IDRG4 | THS4120IDRG4 TI SOP8 | THS4120IDRG4.pdf | |
![]() | LM26CIM | LM26CIM NS SOT23-5 | LM26CIM.pdf | |
![]() | RB80526PZ001256 SL52R (1GB) | RB80526PZ001256 SL52R (1GB) INTEL SMD or Through Hole | RB80526PZ001256 SL52R (1GB).pdf | |
![]() | TA2056FNG(EL) | TA2056FNG(EL) Toshiba SSOP-24 | TA2056FNG(EL).pdf | |
![]() | AT09211-B1Y-4F | AT09211-B1Y-4F FOXCONN SMD or Through Hole | AT09211-B1Y-4F.pdf |