창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5999EDU-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si5999EDU | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59밀리옴 @ 3.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 496pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 10.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® CHIPFET™ 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® ChipFet 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5999EDU-T1-GE3TR SI5999EDUT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5999EDU-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5999EDU, SI5999EDU-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ESMH350VNN103MR30W | 10000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 41 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | ESMH350VNN103MR30W.pdf | |
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![]() | VJ0603D6R8DXXAJ | 6.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D6R8DXXAJ.pdf | |
![]() | SIT8209AI-8-18E | 80.000001MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 33mA Enable/Disable | SIT8209AI-8-18E.pdf | |
![]() | AC82BOV QP32ES | AC82BOV QP32ES INTEL BGA | AC82BOV QP32ES.pdf | |
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![]() | AM26LS30AMWB | AM26LS30AMWB TI CFP | AM26LS30AMWB.pdf | |
![]() | THS5661IDW | THS5661IDW TI SOP-28 | THS5661IDW.pdf | |
![]() | OPA37FJ/OP37FJ | OPA37FJ/OP37FJ BB TO-99 | OPA37FJ/OP37FJ.pdf | |
![]() | 22CV10A2J | 22CV10A2J ICP PLCC | 22CV10A2J.pdf | |
![]() | PC724/V | PC724/V SHARP D S | PC724/V.pdf | |
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