창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5997DU-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI5997DU-T1-GE3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 430pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 10.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® CHIPFET™ 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® ChipFet 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5997DU-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5997DU-, SI5997DU-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
CMF651M0000FLBF | RES 1M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651M0000FLBF.pdf | ||
34225M2-707SP | 34225M2-707SP MIT DIP | 34225M2-707SP.pdf | ||
AM26LV32EINSR | AM26LV32EINSR TI SOP-16 | AM26LV32EINSR.pdf | ||
2SK3667(STA4.Q) | 2SK3667(STA4.Q) TOSHIBA T0-258 | 2SK3667(STA4.Q).pdf | ||
MLK1005S10NJT0 | MLK1005S10NJT0 TDK SMD or Through Hole | MLK1005S10NJT0.pdf | ||
CL160808T-68NK-S | CL160808T-68NK-S ORIGINAL SMD or Through Hole | CL160808T-68NK-S.pdf | ||
MAX705ECPA | MAX705ECPA MAXIM DIP | MAX705ECPA.pdf | ||
LM267SX-ADJ | LM267SX-ADJ NS T0-263 | LM267SX-ADJ.pdf | ||
S5L928F01-QO | S5L928F01-QO Samsung QFP-80 | S5L928F01-QO.pdf | ||
GP6101A33G | GP6101A33G GP SOT89-3 | GP6101A33G.pdf | ||
C5478 | C5478 SAY TO-3P | C5478.pdf |