창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5935CDC-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI5935CDC | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 3.1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 455pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5935CDC-T1-E3 | |
관련 링크 | SI5935CDC, SI5935CDC-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | C0805C560G2GACTU | 56pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C560G2GACTU.pdf | |
![]() | A2S60 | A2S60 AMBARELLA BGA | A2S60.pdf | |
![]() | HD404849A09H(PG-I1002-02 | HD404849A09H(PG-I1002-02 IXYS SOT-23-5 | HD404849A09H(PG-I1002-02.pdf | |
![]() | H11A4-X001 | H11A4-X001 VISHAY QQ- | H11A4-X001.pdf | |
![]() | CBA3216GA121N4 | CBA3216GA121N4 ORIGINAL SMD or Through Hole | CBA3216GA121N4.pdf | |
![]() | HT-DS101 | HT-DS101 ORIGINAL SMD or Through Hole | HT-DS101.pdf | |
![]() | JXGD-CPO24 | JXGD-CPO24 ORIGINAL SMD or Through Hole | JXGD-CPO24.pdf | |
![]() | LT1934ES6-1 NOPB | LT1934ES6-1 NOPB LT SMD or Through Hole | LT1934ES6-1 NOPB.pdf | |
![]() | PT6306(L) | PT6306(L) PTC QFP | PT6306(L).pdf | |
![]() | DG9415DQ-T1-E3 | DG9415DQ-T1-E3 VISHAY SMD or Through Hole | DG9415DQ-T1-E3.pdf | |
![]() | GRM42-6COG472J50H53P | GRM42-6COG472J50H53P MURATA 1206-472J | GRM42-6COG472J50H53P.pdf |