창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5933CDC-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI5933CDC | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 144m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.8nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 276pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5933CDC-T1-GE3TR SI5933CDCT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5933CDC-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5933CDC, SI5933CDC-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
C917U240JYNDCAWL40 | 24pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C917U240JYNDCAWL40.pdf | ||
TR3E106K050C0500 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 500 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TR3E106K050C0500.pdf | ||
ASTMHTFL-100.000MHZ-AR-E | 100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-100.000MHZ-AR-E.pdf | ||
W02G-E4/51 | RECTIFIER BRIDGE 1.5A 200V WOG | W02G-E4/51.pdf | ||
SPS9370RLRM | SPS9370RLRM MOT SMD or Through Hole | SPS9370RLRM.pdf | ||
MKS2D031001A00JC00 | MKS2D031001A00JC00 WIMA SMD or Through Hole | MKS2D031001A00JC00.pdf | ||
P1144-3S-20.0M | P1144-3S-20.0M PLETRONICS SMD | P1144-3S-20.0M.pdf | ||
DEP215/AS-BDEP-215AEG | DEP215/AS-BDEP-215AEG ORIGINAL SMD or Through Hole | DEP215/AS-BDEP-215AEG.pdf | ||
1A353/85323 | 1A353/85323 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1A353/85323.pdf | ||
16FHJ-SM1-GAN-TB | 16FHJ-SM1-GAN-TB JST SMD | 16FHJ-SM1-GAN-TB.pdf | ||
HB1-SE66 | HB1-SE66 ORIGINAL SMD or Through Hole | HB1-SE66.pdf |