창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5515CDC-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI5515CDC | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.3nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 632pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5515CDC-T1-GE3TR SI5515CDCT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5515CDC-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5515CDC, SI5515CDC-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
S3G | DIODE GEN PURP 400V 3A SMC | S3G.pdf | ||
RC2010FK-071R3L | RES SMD 1.3 OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-071R3L.pdf | ||
AT89S53-24AU | AT89S53-24AU AT SMD or Through Hole | AT89S53-24AU.pdf | ||
LL1J225M05011PA180 | LL1J225M05011PA180 ORIGINAL SMD or Through Hole | LL1J225M05011PA180.pdf | ||
SiI9233ACTU | SiI9233ACTU SILICON QFP | SiI9233ACTU.pdf | ||
RC0402JR-7D150RL | RC0402JR-7D150RL YAGEO SMD or Through Hole | RC0402JR-7D150RL.pdf | ||
271N2502474KR | 271N2502474KR MATSUO SMD | 271N2502474KR.pdf | ||
C1005COG1H060DT000P(0402-6P) | C1005COG1H060DT000P(0402-6P) TDK SMD or Through Hole | C1005COG1H060DT000P(0402-6P).pdf | ||
ELLA6R3ETD331MF11D | ELLA6R3ETD331MF11D Chemi-con NA | ELLA6R3ETD331MF11D.pdf | ||
IP140K-5.0 | IP140K-5.0 IPS TO-3 | IP140K-5.0.pdf | ||
HD-MIN USB 10P - 075 | HD-MIN USB 10P - 075 ORIGINAL SMD or Through Hole | HD-MIN USB 10P - 075.pdf |