창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5515CDC-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI5515CDC | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.3nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 632pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5515CDC-T1-GE3TR SI5515CDCT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5515CDC-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5515CDC, SI5515CDC-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | F1778333K2DBB0 | 0.033µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | F1778333K2DBB0.pdf | |
![]() | 3224J-1-205 | 3224J-1-205 Bourns SMD or Through Hole | 3224J-1-205.pdf | |
![]() | C2277C | C2277C HIT TO92 | C2277C.pdf | |
![]() | FS8858-25CH | FS8858-25CH ORIGINAL SOT-223 | FS8858-25CH.pdf | |
![]() | 3971150000 | 3971150000 WICKMANN SMD or Through Hole | 3971150000.pdf | |
![]() | OP227BY/883B | OP227BY/883B AD CDIP | OP227BY/883B.pdf | |
![]() | 6417760BP200ADV | 6417760BP200ADV ORIGINAL SMD or Through Hole | 6417760BP200ADV.pdf | |
![]() | CP3800SA | CP3800SA CERAMATE SMD or Through Hole | CP3800SA.pdf | |
![]() | IXFN50N20 | IXFN50N20 IXYS SOT-227B | IXFN50N20.pdf | |
![]() | U0805C470J500NT | U0805C470J500NT ORIGINAL SMD | U0805C470J500NT.pdf | |
![]() | ACE512120AMA+H | ACE512120AMA+H ACE SOT89-3 | ACE512120AMA+H.pdf | |
![]() | MLN0603-601 | MLN0603-601 Ferroxcube SMD | MLN0603-601.pdf |