창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI5515CDC-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI5515CDC | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 6A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.3nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 632pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI5515CDC-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI5515CDC, SI5515CDC-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | UUG2D680MNQ1ZD | 68µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | UUG2D680MNQ1ZD.pdf | |
![]() | SIT9121AI-2B3-33E108.000000T | OSC XO 3.3V 108MHZ | SIT9121AI-2B3-33E108.000000T.pdf | |
![]() | MAP80-4004 | AC/DC CNVRTR 5V 24V -15V 15V 80W | MAP80-4004.pdf | |
![]() | MBB0207CC1153FC100 | RES 115K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB0207CC1153FC100.pdf | |
![]() | IPI034NE7N3 | IPI034NE7N3 Infineon TO-262 | IPI034NE7N3.pdf | |
![]() | LDA46C0990AD132PTAB1(990MHZ) | LDA46C0990AD132PTAB1(990MHZ) MURATA 6X9-2P | LDA46C0990AD132PTAB1(990MHZ).pdf | |
![]() | ADS8482I | ADS8482I TI QFN | ADS8482I.pdf | |
![]() | BL8530-281RM | BL8530-281RM BELLING/ SOT-23-3 | BL8530-281RM.pdf | |
![]() | BD4942FVE | BD4942FVE ROHM SOT666 | BD4942FVE.pdf | |
![]() | BCM1250B2K700 | BCM1250B2K700 BCM SMD or Through Hole | BCM1250B2K700.pdf | |
![]() | LMC10ZEG4612-C57 | LMC10ZEG4612-C57 BOOKHAMTECH SMD or Through Hole | LMC10ZEG4612-C57.pdf | |
![]() | AW8063801031002SR0MV | AW8063801031002SR0MV INTEL SMD or Through Hole | AW8063801031002SR0MV.pdf |