창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5504BDC-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 단종/ EOL | SI5504BDC-T1-E3,GE3 29/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A, 3.7A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 3.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 220pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.12W, 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5504BDC-T1-GE3TR SI5504BDCT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5504BDC-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5504BDC, SI5504BDC-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MBB02070C3900FC100 | RES 390 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3900FC100.pdf | |
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![]() | ERG35J333P | ERG35J333P ORIGINAL SMD or Through Hole | ERG35J333P.pdf | |
![]() | 787170-9 | 787170-9 AMP/TYCO AMP | 787170-9.pdf | |
![]() | HFE4539BDB | HFE4539BDB PHI SMD or Through Hole | HFE4539BDB.pdf |