창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5442DU-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI5442DU | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 31W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® CHIPFET™ 단일 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® ChipFet 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5442DU-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5442DU-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5442DU-, SI5442DU-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008ACR3-28S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Standby | SIT8008ACR3-28S.pdf | |
![]() | HRG3216P-1003-B-T5 | RES SMD 100K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1003-B-T5.pdf | |
![]() | DP11H3015A30F | DP11 HOR 15P 30DET 30F M7*5MM | DP11H3015A30F.pdf | |
![]() | 90Z008SM1 | 90Z008SM1 PULSE SMD or Through Hole | 90Z008SM1.pdf | |
![]() | TNPW0402100RDEED | TNPW0402100RDEED VISHAY SMD | TNPW0402100RDEED.pdf | |
![]() | RD68FS | RD68FS RENESAS SOD-123F | RD68FS.pdf | |
![]() | D2568 | D2568 ROHM TO252 | D2568.pdf | |
![]() | 222Y34M16 | 222Y34M16 NICOMATIC SMD or Through Hole | 222Y34M16.pdf | |
![]() | AO6600 | AO6600 AOS SOP-8 | AO6600.pdf | |
![]() | 04-6240-0450-03-800 | 04-6240-0450-03-800 KYOCERA SMD or Through Hole | 04-6240-0450-03-800.pdf | |
![]() | ML7202-001TBZ03A-7 | ML7202-001TBZ03A-7 OKI SMD or Through Hole | ML7202-001TBZ03A-7.pdf |