Vishay BC Components SI5441BDC-T1-E3
- 제조업체 부품 번호
- SI5441BDC-T1-E3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SI5441BDC-T1-E3 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 588.10767
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SI5441BDC-T1-E3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI5441BDC-T1-E3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI5441BDC-T1-E3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SI5441BDC-T1-E3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI5441BDC-T1-E3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI5441BDC-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI5441BDC | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 4.4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI5441BDC-T1-E3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI5441BDC-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI5441BDC, SI5441BDC-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SI5441BDC-T1-E3 의 관련 제품
 | MAL209634182E3 | 1800µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 222 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | MAL209634182E3.pdf | |
 | AQ12EM150JAJME | 15pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM150JAJME.pdf | |
| AQ12EM1R4BAJME\250V | 1.4pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM1R4BAJME\250V.pdf | |
 | MA-505 22.5000M-C:ROHS | 22.5MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-505 22.5000M-C:ROHS.pdf | |
 | SIT8209AI-83-33E-100.0000Y | OSC XO 3.3V 100MHZ OE | SIT8209AI-83-33E-100.0000Y.pdf | |
| GPBN | RELAY | GPBN.pdf | |
| Y5V 12nF | Y5V 12nF ORIGINAL SMD or Through Hole | Y5V 12nF.pdf | |
| LCMXO1200C-3TN144I | LCMXO1200C-3TN144I LatticeSemiconductCpation 144-TQFP(20x20) | LCMXO1200C-3TN144I.pdf | |
| LPR6520-F452 | LPR6520-F452 SMK SMD or Through Hole | LPR6520-F452.pdf | |
| V358YD | V358YD ST SOP-8 | V358YD.pdf | |
| SN74HC109M | SN74HC109M TI SOP16 | SN74HC109M.pdf | |
| LT1461DHS8 | LT1461DHS8 LT 8-LeadSOIC | LT1461DHS8.pdf |