창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5429DU-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si5429DU | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2320pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 31W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® CHIPFET™ 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® ChipFet 이중 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SI5429DU-T1-GE3CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5429DU-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5429DU-, SI5429DU-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CC0603JRNPO0BN330 | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603JRNPO0BN330.pdf | |
![]() | SC104-680 | 68µH Unshielded Inductor 1.3A 223 mOhm Max Nonstandard | SC104-680.pdf | |
![]() | RNF12FTD215R | RES 215 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD215R.pdf | |
![]() | M28F101-102 | M28F101-102 ST DIP32 | M28F101-102.pdf | |
![]() | SG-531 24.000M | SG-531 24.000M NULL NULL | SG-531 24.000M.pdf | |
![]() | ERA3AEB222V | ERA3AEB222V PAS SMD or Through Hole | ERA3AEB222V.pdf | |
![]() | B32560-J3473J | B32560-J3473J EPC N A | B32560-J3473J.pdf | |
![]() | W3A46C152KAT2A | W3A46C152KAT2A AVX SMD | W3A46C152KAT2A.pdf | |
![]() | ADUM5230 | ADUM5230 ADI 16-LEAD SOIC | ADUM5230.pdf | |
![]() | B45196E1335M109 | B45196E1335M109 Kemet SMD or Through Hole | B45196E1335M109.pdf | |
![]() | MBRS260LT1G | MBRS260LT1G ON DO-214 | MBRS260LT1G.pdf | |
![]() | CL05C3R9CB5ANNC | CL05C3R9CB5ANNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL05C3R9CB5ANNC.pdf |