창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5424DC-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI5424DC | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 4.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5424DC-T1-GE3TR SI5424DCT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5424DC-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5424DC-, SI5424DC-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SMAJ75A-E3/61 | TVS DIODE 75VWM 121VC SMA | SMAJ75A-E3/61.pdf | ||
3KASMC28AHM3_A/I | TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AB | 3KASMC28AHM3_A/I.pdf | ||
IMC0603ER82NJ01 | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 540 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | IMC0603ER82NJ01.pdf | ||
LH1532FP | Solid State Relay DPST (2 Form A) 8-SOP (0.180", 4.57mm) | LH1532FP.pdf | ||
RG1608P-2372-W-T5 | RES SMD 23.7K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-2372-W-T5.pdf | ||
502430-4410 | 502430-4410 MOLEX SMD or Through Hole | 502430-4410.pdf | ||
LG8808-13B | LG8808-13B LG DIP | LG8808-13B.pdf | ||
MAX3232IDE4 | MAX3232IDE4 TI A | MAX3232IDE4.pdf | ||
NB12M00223KBB | NB12M00223KBB AVX SMD | NB12M00223KBB.pdf | ||
006-1-016-D-B1STF-XS0 | 006-1-016-D-B1STF-XS0 MPE-GARRY SMD or Through Hole | 006-1-016-D-B1STF-XS0.pdf | ||
7M19500048 | 7M19500048 TXC SMD | 7M19500048.pdf | ||
CES2301 014 | CES2301 014 CET SOT-23 | CES2301 014.pdf |