창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5419DU-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI5419DU | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 31W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerPak® CHIPFET™ | |
공급 장치 패키지 | 8-PowerPak® ChipFet | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5419DU-T1-GE3TR SI5419DUT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5419DU-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5419DU-, SI5419DU-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
ELBK350ELL472ALN3S | 4700µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 21 mOhm @ 100kHz 5000 Hrs @ 105°C | ELBK350ELL472ALN3S.pdf | ||
![]() | GQM22M5C2H1R2CB01K | 1.2pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.80mm x 2.80mm) | GQM22M5C2H1R2CB01K.pdf | |
![]() | Y1750138R500V9L | RES 138.5 OHM 3/4W 0.005% AXIAL | Y1750138R500V9L.pdf | |
![]() | JANTX1N5620 | JANTX1N5620 MICROSEMI SMD or Through Hole | JANTX1N5620.pdf | |
![]() | 91444L4 | 91444L4 MOTOROLA SOP16 | 91444L4.pdf | |
![]() | 450V1000 | 450V1000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 450V1000.pdf | |
![]() | CFD-N22B155K | CFD-N22B155K AUK NA | CFD-N22B155K.pdf | |
![]() | WP91398L5 | WP91398L5 TI DIP | WP91398L5.pdf | |
![]() | MPC8313VRADDC | MPC8313VRADDC Motorola SMD or Through Hole | MPC8313VRADDC.pdf | |
![]() | BT8233EHF-12E | BT8233EHF-12E BT QFP | BT8233EHF-12E.pdf | |
![]() | B37931K5472J60 | B37931K5472J60 EPCOS 18 08 | B37931K5472J60.pdf | |
![]() | FM4004-W | FM4004-W RECTRON SMD or Through Hole | FM4004-W.pdf |