창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4812BDY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4812BDY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | LITTLE FOOT® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4812BDY-T1-GE3TR SI4812BDYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4812BDY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4812BDY, SI4812BDY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
TN05-4B153JT | TN05-4B153JT MITSUBISHI SMD | TN05-4B153JT.pdf | ||
LT1154 | LT1154 LT SOP8 | LT1154.pdf | ||
MCM1572-4MB 1.998MHZ | MCM1572-4MB 1.998MHZ Q-TECH SMD or Through Hole | MCM1572-4MB 1.998MHZ.pdf | ||
AT49BV040A-70TU | AT49BV040A-70TU ATMEL SMD or Through Hole | AT49BV040A-70TU.pdf | ||
CEP830G | CEP830G CET SMD or Through Hole | CEP830G.pdf | ||
DF216S | DF216S DF SMD or Through Hole | DF216S.pdf | ||
TCS4420 | TCS4420 Hosiden SMD or Through Hole | TCS4420.pdf | ||
MAX3001EEUP | MAX3001EEUP MAXIM SSOP-20P | MAX3001EEUP.pdf | ||
NCP15XM331J0SRC | NCP15XM331J0SRC murata SMD or Through Hole | NCP15XM331J0SRC.pdf | ||
SN9C2038F | SN9C2038F SONIX QFP | SN9C2038F.pdf | ||
16ME6800FA | 16ME6800FA SANYO DIP-2 | 16ME6800FA.pdf | ||
S-8354A30MA-JQP-T2G | S-8354A30MA-JQP-T2G SEIKO SOT-23-3 | S-8354A30MA-JQP-T2G.pdf |