창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4778DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4778DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4778DY-T1-GE3TR SI4778DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4778DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4778DY-, SI4778DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GCM21A7U2E561JX01D | 560pF 250V 세라믹 커패시터 U2J 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GCM21A7U2E561JX01D.pdf | |
![]() | VS-88HF40 | DIODE GENERAL PURPOSE 85A DO-5 | VS-88HF40.pdf | |
![]() | SFR2500005239FR500 | RES 52.3 OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500005239FR500.pdf | |
![]() | B57164K154K | NTC Thermistor 150k Disc, 5.5mm Dia x 5.0mm W | B57164K154K.pdf | |
![]() | 1.8nH± | 1.8nH± ORIGINAL SMD or Through Hole | 1.8nH±.pdf | |
![]() | AM85C30-12JIB | AM85C30-12JIB AMD TSOP | AM85C30-12JIB.pdf | |
![]() | 145604080012829+ | 145604080012829+ KyoceraElect SMD or Through Hole | 145604080012829+.pdf | |
![]() | LT1951CN8 | LT1951CN8 LINEAR DIP | LT1951CN8.pdf | |
![]() | XC2V6000-FF1152AGT | XC2V6000-FF1152AGT XIL BGA | XC2V6000-FF1152AGT.pdf | |
![]() | MBRF20200CTL | MBRF20200CTL SSG TO-220F | MBRF20200CTL.pdf | |
![]() | 91BR5KLF | 91BR5KLF BITECH 91Series38inchD | 91BR5KLF.pdf |