창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4654DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4654DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3770pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 5.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4654DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4654DY, SI4654DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | V27ZU2P | VARISTOR 27V 500A DISC 10MM | V27ZU2P.pdf | |
![]() | PFE5KR250E | RES CHAS MNT 0.25 OHM 10% 992W | PFE5KR250E.pdf | |
![]() | GRM329F11A106ZA01D | GRM329F11A106ZA01D MURATA SMD or Through Hole | GRM329F11A106ZA01D.pdf | |
![]() | STi5211UUC | STi5211UUC ST SMD or Through Hole | STi5211UUC.pdf | |
![]() | C1608C0G1H201JT000N | C1608C0G1H201JT000N TDK SMD or Through Hole | C1608C0G1H201JT000N.pdf | |
![]() | MAS3507D-G12 | MAS3507D-G12 MICRONAS SMD or Through Hole | MAS3507D-G12.pdf | |
![]() | RFB300-24S28-5-A | RFB300-24S28-5-A ARTESYN SMD or Through Hole | RFB300-24S28-5-A.pdf | |
![]() | HF50ACC575032-400R | HF50ACC575032-400R TDK SMD or Through Hole | HF50ACC575032-400R.pdf | |
![]() | UPA605T-T2 | UPA605T-T2 NEC SOT163 | UPA605T-T2.pdf | |
![]() | 218S7EBLA21FG SB700 | 218S7EBLA21FG SB700 AMD BGA | 218S7EBLA21FG SB700.pdf | |
![]() | R-TX2N1132 | R-TX2N1132 RAY CAN-3Pin | R-TX2N1132.pdf |