창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4630DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si4630DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 161nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6670pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4630DY-T1-GE3TR SI4630DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4630DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4630DY-, SI4630DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ2220A222JBLAT4X | 2200pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A222JBLAT4X.pdf | |
![]() | 6389-3GV5 | 6389-3GV5 INF SOP-14 | 6389-3GV5.pdf | |
![]() | SK6612ADHC | SK6612ADHC SKYMEDI BGA | SK6612ADHC.pdf | |
![]() | TDA5630 | TDA5630 SGS DIP | TDA5630.pdf | |
![]() | A135 | A135 OKI SOP-16 | A135.pdf | |
![]() | TICP106M-S | TICP106M-S BOURNS SMD or Through Hole | TICP106M-S.pdf | |
![]() | UPB223J | UPB223J ORIGINAL SMD or Through Hole | UPB223J.pdf | |
![]() | S9012-H/G | S9012-H/G KEC TO-92 | S9012-H/G.pdf | |
![]() | SRF25C24 | SRF25C24 MOTOROLA SMD or Through Hole | SRF25C24.pdf | |
![]() | TDA9384PS/N2/2/0890 | TDA9384PS/N2/2/0890 PHILIPS DIP64 | TDA9384PS/N2/2/0890.pdf | |
![]() | ECB-101499 | ECB-101499 SIR SMD or Through Hole | ECB-101499.pdf | |
![]() | KTC4374-B-RTF | KTC4374-B-RTF UTG SOT-89 | KTC4374-B-RTF.pdf |