창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4628DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4628DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | SkyFET®, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 87nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4628DY-T1-GE3-ND SI4628DY-T1-GE3TR SI4628DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4628DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4628DY-, SI4628DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MKT1817210015 | 1000pF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial | MKT1817210015.pdf | |
![]() | RMCF1206FT9K31 | RES SMD 9.31K OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT9K31.pdf | |
![]() | AD625SD/883BQ | AD625SD/883BQ AD SMD or Through Hole | AD625SD/883BQ.pdf | |
![]() | MSM7473-73MS-KR1 | MSM7473-73MS-KR1 OKI SOP5.2mm | MSM7473-73MS-KR1.pdf | |
![]() | TDA8007BH | TDA8007BH PHI QFP48 | TDA8007BH.pdf | |
![]() | HM9264LFP-10L( | HM9264LFP-10L( HITACHI SOP | HM9264LFP-10L(.pdf | |
![]() | 22R1A60 | 22R1A60 IR SMD or Through Hole | 22R1A60.pdf | |
![]() | D017-08M08 | D017-08M08 SUN SMD or Through Hole | D017-08M08.pdf | |
![]() | B32652A0104J000 | B32652A0104J000 EPCOS DIP | B32652A0104J000.pdf | |
![]() | SW-927 | SW-927 MA/COM SOP8 | SW-927.pdf | |
![]() | MAX17511G | MAX17511G MAXIM QFN | MAX17511G.pdf | |
![]() | THS6022CGQE | THS6022CGQE TI MicroStarJunior-80 | THS6022CGQE.pdf |