창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4626ADY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4626ADY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5370pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4626ADY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4626ADY, SI4626ADY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
C2012Y5V1H105ZT | C2012Y5V1H105ZT TDK SOT-0805 | C2012Y5V1H105ZT.pdf | ||
BC263A | BC263A MOT CAN3 | BC263A.pdf | ||
UP1632PQAG | UP1632PQAG UPI N A | UP1632PQAG.pdf | ||
UUG1A222MNL1MS | UUG1A222MNL1MS nichicon SMD-2 | UUG1A222MNL1MS.pdf | ||
WS-3KEY | WS-3KEY ORIGINAL SMD or Through Hole | WS-3KEY.pdf | ||
X0600CE-6G | X0600CE-6G SHARP DIP | X0600CE-6G.pdf | ||
rc0603fr-078k06 | rc0603fr-078k06 yag SMD or Through Hole | rc0603fr-078k06.pdf | ||
ISL6-0001 | ISL6-0001 ORIGINAL DIP- | ISL6-0001.pdf | ||
1AB09861 | 1AB09861 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1AB09861.pdf | ||
TG74-0456N1 | TG74-0456N1 HALO SMD or Through Hole | TG74-0456N1.pdf | ||
P87LPC765BN | P87LPC765BN PHI SMD or Through Hole | P87LPC765BN.pdf | ||
DCR504/10 | DCR504/10 GPS SMD or Through Hole | DCR504/10.pdf |