창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4622DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4622DY | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | SkyFET®, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 9.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2458pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.3W, 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4622DY-T1-GE3TR SI4622DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4622DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4622DY-, SI4622DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ECK-D3F151KBP | 150pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | ECK-D3F151KBP.pdf | |
![]() | BZM55C6V2-TR | DIODE ZENER 6.2V 500MW MICROMELF | BZM55C6V2-TR.pdf | |
![]() | HC7-3R9-R | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 10.4A 7.9 mOhm Max Nonstandard | HC7-3R9-R.pdf | |
![]() | HFD7180-001 | PIN DETECTOR 850NM 5PIN 8G LC | HFD7180-001.pdf | |
![]() | KP2012YD | KP2012YD KINGBRIGHT SMD or Through Hole | KP2012YD.pdf | |
![]() | 1206YC105KA800J | 1206YC105KA800J AVX SMD or Through Hole | 1206YC105KA800J.pdf | |
![]() | XP1216-(TX) | XP1216-(TX) PANASONIC SMD or Through Hole | XP1216-(TX).pdf | |
![]() | TPS61050DRC | TPS61050DRC BB/TI QFN10 | TPS61050DRC.pdf | |
![]() | PIC16C432T-E/SS | PIC16C432T-E/SS MICROCHIP SMD or Through Hole | PIC16C432T-E/SS.pdf | |
![]() | SE602N | SE602N NXP DIP8 | SE602N.pdf | |
![]() | 963UA | 963UA SIS BGA | 963UA.pdf | |
![]() | HC49S110592 | HC49S110592 TQET SMD or Through Hole | HC49S110592.pdf |