창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4532CDY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4532CDY | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A, 4.3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 47m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 305pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4532CDY-T1-GE3-ND SI4532CDY-T1-GE3TR SI4532CDYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4532CDY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4532CDY, SI4532CDY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 885012209004 | 4.7µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 885012209004.pdf | |
![]() | 260018 | RF Modulator IC 8GHz ~ 12.4GHz Module | 260018.pdf | |
![]() | HC1H478M30025HA | HC1H478M30025HA samwha SMD or Through Hole | HC1H478M30025HA.pdf | |
![]() | C4532JB1E156MT | C4532JB1E156MT TDK SMD or Through Hole | C4532JB1E156MT.pdf | |
![]() | LN2307C | LN2307C ORIGINAL SMD | LN2307C.pdf | |
![]() | RTA-1C4BB61F | RTA-1C4BB61F UDE SMD or Through Hole | RTA-1C4BB61F.pdf | |
![]() | ATMEGA328P- | ATMEGA328P- ATMEL SMD or Through Hole | ATMEGA328P-.pdf | |
![]() | CD135-500V2400UF | CD135-500V2400UF st SMD or Through Hole | CD135-500V2400UF.pdf | |
![]() | SN74ACT2153-22N | SN74ACT2153-22N TI DIP | SN74ACT2153-22N.pdf | |
![]() | P87LPC779 | P87LPC779 NXP TSSOP20 | P87LPC779.pdf | |
![]() | GP2A221HRKA | GP2A221HRKA SHARP SMD or Through Hole | GP2A221HRKA.pdf | |
![]() | IBM42S10LNNAAA20 | IBM42S10LNNAAA20 IBM TRANS | IBM42S10LNNAAA20.pdf |