창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4472DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4472DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1735pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 5.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4472DY-T1-GE3TR SI4472DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4472DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4472DY-, SI4472DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SIT8008BI-73-33E-24.00000E | OSC XO 3.3V 24MHZ OE | SIT8008BI-73-33E-24.00000E.pdf | ||
TNPW120625K5BEEN | RES SMD 25.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120625K5BEEN.pdf | ||
IR3N74 | IR3N74 SHARP DIP16 | IR3N74.pdf | ||
E027R61 | E027R61 ST QFP-32 | E027R61.pdf | ||
2SC5702ZS-01ATRE | 2SC5702ZS-01ATRE renesas 0402-3 | 2SC5702ZS-01ATRE.pdf | ||
3537E2P | 3537E2P PHILISP QFN | 3537E2P.pdf | ||
Q9852 9952 | Q9852 9952 HP SMD or Through Hole | Q9852 9952.pdf | ||
ST613-05 | ST613-05 ORIGINAL SMD or Through Hole | ST613-05.pdf | ||
AM5668F | AM5668F AMTEK SOP | AM5668F.pdf | ||
RTC24005F | RTC24005F ORIGINAL DIP | RTC24005F.pdf | ||
UPD35G2 | UPD35G2 NEC SMD or Through Hole | UPD35G2.pdf | ||
ISC1A011AB02402AAA | ISC1A011AB02402AAA ST PLCC | ISC1A011AB02402AAA.pdf |