창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4472DY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4472DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1735pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 5.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4472DY-T1-E3TR SI4472DYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4472DY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4472DY, SI4472DY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | BFC238036223 | 0.022µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC238036223.pdf | |
![]() | GDZ27B-HE3-18 | DIODE ZENER 27V 200MW SOD323 | GDZ27B-HE3-18.pdf | |
![]() | IS61SPS25636D-133TQ | IS61SPS25636D-133TQ INTERSIL QFP | IS61SPS25636D-133TQ.pdf | |
![]() | 282012K91Y | 282012K91Y ORIGINAL SOP4 | 282012K91Y.pdf | |
![]() | TLP631(GR)-F | TLP631(GR)-F TOSHIBA DIP-6 | TLP631(GR)-F.pdf | |
![]() | HRW0302ATR(S11) | HRW0302ATR(S11) HITACHI SOT23 | HRW0302ATR(S11).pdf | |
![]() | SAGU | SAGU ORIGINAL SOT23-3 | SAGU.pdf | |
![]() | L78L09ACUTR-ST | L78L09ACUTR-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | L78L09ACUTR-ST.pdf | |
![]() | 310CJG-P | 310CJG-P ATT DIP | 310CJG-P.pdf | |
![]() | R27V401E-0J3 | R27V401E-0J3 OKI SOP32 | R27V401E-0J3.pdf | |
![]() | XQ3S700A-DIE0628 | XQ3S700A-DIE0628 XILINX SMD or Through Hole | XQ3S700A-DIE0628.pdf | |
![]() | DPS128M8GN | DPS128M8GN ORIGINAL CDIP32 | DPS128M8GN.pdf |