창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4465ADY-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4465ADY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 14A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4465ADY-T1-E3TR SI4465ADYT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4465ADY-T1-E3 | |
관련 링크 | SI4465ADY, SI4465ADY-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
226TTA035M | 22µF 35V Aluminum Capacitors Axial, Can 10.55 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 226TTA035M.pdf | ||
0JTD040.TXID | FUSE CARTRIDGE 40A 600VAC/300VDC | 0JTD040.TXID.pdf | ||
AGIHSMA-C191 | AGIHSMA-C191 AVAGO na | AGIHSMA-C191.pdf | ||
LT1431CZPBF | LT1431CZPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT1431CZPBF.pdf | ||
FB1L3N-T1B-A | FB1L3N-T1B-A NEC SOT23 | FB1L3N-T1B-A.pdf | ||
296P | 296P ST DIP | 296P.pdf | ||
7C1312D-200BBI | 7C1312D-200BBI CypressSemiconduc SMD or Through Hole | 7C1312D-200BBI.pdf | ||
BZX85B3V0 | BZX85B3V0 ST DO-41 | BZX85B3V0.pdf | ||
321B/153 | 321B/153 FAIRCH SOT-153 | 321B/153.pdf | ||
MAX639ACPA | MAX639ACPA MAXIM DIP8 | MAX639ACPA.pdf | ||
G86-740-A1 | G86-740-A1 NVIDIA BGA | G86-740-A1.pdf |